MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER


Tabla resumen
 Institución: UPM Tipo: Patente
 Ámbito: Nacional Año de inicio: 2015
 En operación:   de propiedad: 40,00 %
 Núm. de miembros: 2
Miembros